N típusú szilícium napelem

A Silicon Heterojunction Technology (HJT) egy emitter és a hátsó felületi mezőn (BSF) alapul, amelyet ultravékony amorf szilíciumrétegek (a-Si:H) alacsony hőmérsékletű növekedésével állítanak elő

A 210 mm-es M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) napelem 24,4 százalékos hatásfokú és cellánként 10,76 watt névleges teljesítményű.

A Silicon Heterojunction Technology (HJT) egy emitteren és a hátsó felületi mezőn (BSF) alapul, amelyet a nagyon jól megtisztított monokristályos szilícium lapkák két oldalán ultravékony amorf

A TOPCON (alagút-oxid passzivált érintkező) technológia akár 25 százalékkal növeli az N típusú napelem hatékonyságát. Az ipari 210 mm-es TOPCon napelem maximális hatékonysága 24,4 százalék, névleges

TOPCON (alagút oxid passzivált érintkezés) technológia növeli az N típusú napelem hatékonyságát akár 24,5%.Monokristályos N típusú 182mm TOPCon napelem névleges teljesítmény 8.08Watt 24,5%-os

A PERT technológiából továbbfejlesztett TOPCON (alagút -oxid -passzivált érintkező) technológia AlOx/ SiNx passziváló réteggel kombinálva növeli az N típusú 166 mm -es napelem hatékonyságát 24,4%

Az N típusú mono bifaciális PERT (passzivált emitter hátsó teljesen diffúz) szilícium napelemek magas és stabilizált konverziós hatékonysággal rendelkeznek. Az n típusú bifaciális PERT napelem cellák

Az N típusú mono bifaciális PERT (passzivált emitteres, teljesen diffúz) szilícium napelemek magas és stabilizált konverziós hatékonysággal rendelkeznek. Az N típusú szilícium napelemeket ígéretes

Az interdigitált hátsó érintkező (IBC) cellaszerkezetben az emitter és az érintkező egyaránt az ostya hátsó oldalán található, amely lehetővé teszi az elülső felület független optimalizálását az

N-típusú Mono bifacial PERT (passivated emitter hátsó teljesen diffúz) szilícium napelemek rendelkezik magas és stabilizált konverziós hatékonyságot.N-típusú szilícium napelemek tekinthető ígéretes