N-típusú M6 monokristályos szilikon ostya specifikáció

N-típusú M6 monokristályos szilikon ostya specifikáció

A nagy hatékonyságú napenergia-alkalmazásokhoz optimalizálva az N-típusú M6 monokristályos szilícium-ostya ál-négyzetből álló 166 × 166 mm-es kialakítást tartalmaz, kiváló anyagtulajdonságokkal. CZ módszerrel gyártott foszfor -dopping segítségével kiváló kristályminőséget biztosít<100>orientáció és alacsony hibás sűrűség (kevesebb, mint 500 cm⁻²). A Wafer N-típusú vezetőképességet kínál 1,0-7,0 Ω · cm ellenállási képességgel, és nagyobb vagy egyenlő, vagy egyenlő, vagy egyenlő az 1000 µs hordozó élettartama alatt, így ideális a TopCon és a heterojunkciós sejttechnológiákhoz. Pontos geometriája (φ223 mm átmérőjű, kevesebb vagy egyenlő 27 um TTV) és a szigorú felületi minőségi szabványok biztosítják az optimális teljesítményt a fotovoltaikus modulokban. Az M6 méret biztosítja a tökéletes egyensúlyt a sejtek hatékonysága és a gyártási termelékenység között a modern napenergia -gyártási vonalak számára.
Share to
A szálláslekérdezés elküldése
Csevegj most
Leírás
Műszaki paraméterek

CZ silicon crystal growth

 

p-type-182mm-monocrystalline-solar-wafer12427330843

 

A nagy hatékonyságú napenergia-alkalmazásokhoz optimalizálva az N-típusú M6 monokristályos szilícium-ostya ál-négyzetből álló 166 × 166 mm-es kialakítást tartalmaz, kiváló anyagtulajdonságokkal. CZ módszerrel gyártott foszfor -dopping segítségével kiváló kristályminőséget biztosít<100>orientáció és alacsony hibás sűrűség (kevesebb, mint 500 cm⁻²). A Wafer N-típusú vezetőképességet kínál 1,0-7,0 Ω · cm ellenállási képességgel, és nagyobb vagy egyenlő, vagy egyenlő, vagy egyenlő az 1000 µs hordozó élettartama alatt, így ideális a TopCon és a heterojunkciós sejttechnológiákhoz. Pontos geometriája (φ223 mm átmérőjű, kevesebb vagy egyenlő 27 um TTV) és a szigorú felületi minőségi szabványok biztosítják az optimális teljesítményt a fotovoltaikus modulokban. Az M6 méret biztosítja a tökéletes egyensúlyt a sejtek hatékonysága és a gyártási termelékenység között a modern napenergia -gyártási vonalak számára.

 

 

1. Anyagtulajdonságok

 

Ingatlan

Meghatározás

Ellenőrzési módszer

Növekedési módszer

CZ

 

Kristályosság

Egyszemélyes

Preferenciális ETCH technikák(ASTM F47-88)

Vezetőképességi típus

N-típusú

NAPSON EC-80TPN

Adalékanyag

Foszfor

-

Oxigénkoncentráció [oi]

Kevesebb vagy azzal egyenlő8e +17 at/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Szénkoncentráció [CS]

Kevesebb vagy azzal egyenlő5e +16 at/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Metch gödör sűrűség (diszlokációs sűrűség)

Kevesebb vagy azzal egyenlő500 cm-2

Preferenciális ETCH technikák(ASTM F47-88)

Felszíni tájolás

<100>± 3 fok

Röntgendiffrakciós módszer (ASTM F26-1987)

Az ál -négyzet alakú oldalak tájolása

<010>,<001>± 3 fok

Röntgendiffrakciós módszer (ASTM F26-1987)

 

2.Elektromos tulajdonságok

 

Ingatlan

Meghatározás

Ellenőrzési módszer

Ellenállás

1.0-7.0 ω.cm

Ostya ellenőrző rendszer

MCLT (kisebbségi fuvarozó élettartama)

Nagyobb vagy egyenlő 1000 µs
Sinton BCT-400
Átmeneti
(Injekciós szinttel: 5E14 cm-3)

 

3. Geometry

 

Ingatlan

Meghatározás

Ellenőrzési módszer

Geometria

álnév tér

 
Ferde szél alakja
kerek  

Ostya oldalhossza

166 ± 0,25 mm

ostya ellenőrző rendszer

Ostya átmérője

φ223 ± 0,25 mm

ostya ellenőrző rendszer

Szög a szomszédos oldalak között

90 fok ± 0,2 fok

ostya ellenőrző rendszer

Vastagság

180﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 20/﹣10 µm
ostya ellenőrző rendszer

TTV (a teljes vastagság variációja)

Kevesebb vagy azzal egyenlő 27 µm

ostya ellenőrző rendszer

 

N-Type M6 Monocrystalline Silicon Wafer Specification1

 

4.Felszíni tulajdonságok

 

Ingatlan

Meghatározás

Ellenőrzési módszer

Vágási módszer

DW

--

Felületi minőség

Vágás és tisztítás mellett nincs látható szennyeződés (olaj vagy zsír, ujjlenyomatok, szappanfoltok, iszapfoltok, epoxi/ragasztófoltok)

ostya ellenőrző rendszer

Fűrészjelek / lépések

Kevesebb vagy egyenlő, mint 15 um

ostya ellenőrző rendszer

Íj

Kevesebb vagy egyenlő 40 um

ostya ellenőrző rendszer

Láncol

Kevesebb vagy egyenlő 40 um

ostya ellenőrző rendszer

Chip

a 0,3 mm -nél kisebb vagy egyenlő mélység, és a maximális 2/db -nál kisebb vagy egyenlő; Nincs V-chip

Meztelen szem vagy ostya ellenőrző rendszer

Mikro repedések / lyukak

Nem engedélyezett

ostya ellenőrző rendszer

 

 

 

 

Népszerű tags: N-típusú M6 monokristályos szilícium-ostya specifikáció, Kína, Szállítók, Gyártók, Gyár, Kínában készült

A szálláslekérdezés elküldése
A szálláslekérdezés elküldése